[发明专利]通过在晶片上进行化学气相沉积的热氧化物形成装置和方法

摘要

本发明提供了一种利用单腔体化学气相沉积在半导体基底上沉积热氧化膜的装置，该装置具有腔体，该腔体包括反应气体流入的气体流入线，用于喷射所接收到的反应气体的喷头，安装有晶片的加热器，用于支撑加热器的加热器支撑部件和用于排放反应气体的真空口。所述装置还包括：同气体流入线相连以向腔体提供TEOS气体的TEOS气体存储单元；用于控制TEOS气体存储单元内的TEOS气体的控制器，以在需要时提供预定量的TEOS气体同时保持气体的预定温度；用于蒸发TEOS气体存储单元所提供的TEOS气体以使其不低于预定温度的蒸发器；同蒸发器出口相连的载气存储单元，以与所蒸发的TEOS气体一道向腔体提供惰性气体；以及同腔体入口相连以提供第二反应气体O₂的第二反应气体存储单元。

主权项

1.一种利用单腔体化学气相沉积在半导体基底上沉积热氧化膜的装置，该装置具有一个腔体，该腔体包括反应气体流入的气体流入线，用于喷射所接收到的反应气体的喷头，安装有晶片的加热器，用于支撑加热器的加热器支撑单元和用于排放反应气体的真空口，所述装置包括：同气体流入线相连以将TEOS气体提供给腔体的TEOS气体存储单元；用于控制存储在TEOS气体存储单元内的TEOS气体的控制器，当需要时按预定的量提供TEOS气体同时按预定的温度保存气体；用于蒸发TEOS气体存储单元所提供的TEOS气体以使其不低于预定温度的蒸发器；同蒸发器出口相连的载气存储单元，以与所蒸发的TEOS气体一道向腔体提供惰性气体；以及同腔体入口相连的第二反应气体存储单元，以提供第二反应气体O2。