[发明专利]用于改善表面波等离子体源和等离子体空间之间的耦合的方法和系统有效
申请号: | 200580031980.0 | 申请日: | 2005-08-10 |
公开(公告)号: | CN101180418A | 公开(公告)日: | 2008-05-14 |
发明(设计)人: | 陈立;田才忠;松本直树 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;C23F1/00;H01L21/306 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 李剑 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明描述了一种用于改善表面波等离子体(SWP)源和等离子体空间之间的耦合的方法和系统。表面波等离子体源包括电磁波发射器,例如具有谐振片的缝隙天线,其中在谐振片和等离子体之间的等离子体表面处,利用扰模器来改善到等离子体的耦合。 | ||
搜索关键词: | 用于 改善 表面波 等离子体 空间 之间 耦合 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种表面波等离子体(SWP)源,包括:电磁(EM)波发射器,所述电磁波发射器被配置为通过在与等离子体相邻的所述EM波发射器的等离子体表面上生成表面波来将EM能量以期望的EM波模式耦合到所述等离子体;功率耦合系统,所述功率耦合系统耦合到所述EM波发射器,并且被配置为将所述EM能量提供到所述EM波发射器以形成所述等离子体;以及扰模器,所述扰模器耦合到所述EM波发射器的所述等离子体表面,并且被配置为减少所述期望的EM波模式和另一种EM波模式之间的模式跳变。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的