[发明专利]高输出第Ⅲ族氮化物发光二极管有效
| 申请号： | 200580032028.2 | 申请日： | 2005-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN101027784A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 约翰·A·埃德蒙;迈克尔·J·伯格曼;大卫·T·艾默森;克文·W·哈勃瑞恩 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蒋世迅 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开一种发光二极管，它包含碳化硅基片和在该基片上由第III族氮化物材料系制成的发光结构。该二极管的面积大于100,000μm2以及在390nm与540nm之间主波长和20mA电流下的辐射通量至少有29mW。 | ||
| 搜索关键词： | 输出 氮化物 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其面积大于100,000μm2以及在390nm与540nm之间主波长和20mA电流下的辐射通量至少有29mW。
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