[发明专利]增强－耗尽场效应晶体管结构及其制造方法

摘要

本发明涉及带有增强型晶体管和耗尽型晶体管的晶体管结构。为允许良好地控制两个晶体管的制造，使用了分别由第一和第二半导体材料制成的第一肖特基层(10)和第二肖特基层(12)。第一和第二半导体材料具有至少0.5V的能带隙。对于n型晶体管，第二肖特基层具有与第一肖特基层的低的传导带不连续性。在用于制成晶体管的方法中第一和第二肖特基层用作蚀刻停止层。晶体管优选地是HEMT。

主权项

1.一种制造增强-耗尽场效应晶体管结构的方法，该增强-耗尽场效应晶体管结构在增强区域(16)内具有增强场效应晶体管且在耗尽区域(18)内具有耗尽场效应晶体管，该方法包括如下步骤：在基片(2)上形成半导体沟道层(6)；在半导体沟道层上形成半导体的第一肖特基层(8)；在第一肖特基层上形成半导体的第二肖特基层(12)；在第二肖特基层上方形成帽层(14)；在耗尽区域(18)内使用第二肖特基层结构(12)作为蚀刻停止层蚀刻帽层内的耗尽栅开口(20)，且在耗尽栅开口(20)内在第二肖特基层(12)上形成耗尽栅(24)；和在场效应晶体管的增强区域(16)内使用第一肖特基层(8)作为蚀刻停止层通过帽层(14)和第二肖特基层(12)蚀刻增强栅开口(22)，且在增强栅开口(22)内在第一肖特基层上形成增强栅(26)，其中，第一肖特基层(8)是第一半导体材料的单一的层，第二肖特基层(12)是第二半导体材料的单一的层，第二半导体材料不同于第一半导体材料且相对于第一半导体材料可选择性地蚀刻，使得在增强区域(16)内的蚀刻步骤可以使用第一肖特基层(8)作为蚀刻停止层，且其中在第一和第二肖特基层材料中的传导带不连续性不超过0.5eV。