[发明专利]陶瓷电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 200580032267.8 | 申请日： | 2005-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101027735A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 森分博纪;平田和希;长井淳夫;小松和博 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 制备具有在1.009到1.011的范围的c轴/a轴比和0.5μm以下的平均粒径、BaTiO3作为主成分并具有四方钙钛矿晶体的晶体结构的原料粉末。通过向该原料粉末混合添加物，获得具有在1.005到1.009的范围的c轴/a轴比和0.5μm以下的平均粒径、BaTiO3作为主成分并具有四方钙钛矿晶体的晶体结构的介电体层。在该介电体层上形成电极从而获得陶瓷电容器。该陶瓷电容器具有大的电容量，并显示小的电容量减少率。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种陶瓷电容器的制造方法，包括：制备具有在1.009到1.011的范围的c轴/a轴比和0.5μm以下的平均粒径、BaTiO3 作为主成分并具有四方钙钛矿晶体的晶体结构的原料粉末的步骤；通过向所述原料粉末混合添加物，获得具有在1.005到1.009的范围的c轴/a轴比和0.5μm以下的平均粒径、BaTiO3作为主成分并具有四方钙钛矿晶体的晶体结构的介电体层的步骤；以及在所述介电体层上形成电极的步骤。
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