[发明专利]用于调整一组等离子体处理步骤的方法和装置有效
| 申请号： | 200580032405.2 | 申请日： | 2005-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101076456A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 瓦希德·瓦赫迪;约翰·E·多尔蒂;哈米特·辛格;安东尼·陈 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | B44C1/22 | 分类号： | B44C1/22;C23F1/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种在等离子体处理系统中调整一组等离子体处理步骤的方法。该方法包括在等离子体处理系统的等离子体反应器中撞击包括中性物(320a)和离子(320b)的第一等离子体。该方法还包括：在第一蚀刻步骤中蚀刻基板(303)上的一组层；在基板周围定位可移动均匀环(302)，该均匀环包括用于将等离子体物引向卡盘(314)的开口(308)，其中，均匀环的底面与基板顶面具有的高度大约相同；以及在等离子体处理系统的等离子体反应器中撞击主要包括中性物的第二等离子体。该方法还包括在第二蚀刻步骤中蚀刻基板上的层组；以及其中，第一步骤中的蚀刻和第二步骤中的蚀刻基本一致。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 调整 一组 等离子体 处理 步骤 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种在等离子体系统中调整一组等离子体处理步骤的方法，包括：在所述等离子体处理系统的等离子体反应器中撞击包括中性物和离子的第一等离子体；在第一蚀刻步骤中蚀刻基板上的一组层；在所述基板周围定位可移动均匀环，其中，所述均匀环的底面与所述基板顶面的高度大约相同；在所述等离子体处理系统的所述等离子体反应器中撞击主要包括中性物的第二等离子体；在第二蚀刻步骤中蚀刻所述基板上的所述层组；其中，所述第一步骤中的所述蚀刻和所述第二步骤中的所述蚀刻基本一致。
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