[发明专利]金属栅电极半导体器件有效
| 申请号： | 200580032440.4 | 申请日： | 2005-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN101027770A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | M·多茨;J·布拉斯克;J·卡瓦利罗斯;C·巴恩斯;M·梅茨;S·达塔;R·曹 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 谭祐祥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种互补金属氧化物半导体集成电路可以由NMOS晶体管和PMOS晶体管形成，所述这些晶体管具有在半导体衬底之上的高介电常数的栅极电介质材料。金属阻挡层可以形成在栅极电介质上。功函数设定金属层形成在金属阻挡层上，并且覆盖金属层形成在功函数设定金属层上。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 电极 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：移除模拟的栅电极；在半导体衬底上形成高介电常数的栅极电介质；在所述栅极电介质上形成金属阻挡层；在所述金属阻挡层上形成功函数设定金属层；以及在所述功函数设定金属层上形成覆盖金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
