[发明专利]用于大碳化硅单晶的高品质生长的籽晶和籽晶夹持器组合有效
| 申请号： | 200580032490.2 | 申请日： | 2005-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN101027433A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | S·G·穆勒;A·泊韦尔;V·F·特斯维特考夫 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了碳化硅籽晶升华生长系统和相关方法。该系统包括坩埚、坩埚中的碳化硅源组合物、坩埚中的籽晶夹持器、籽晶夹持器上的碳化硅籽晶、在坩埚中产生主热梯度的装置，该梯度限定源组合物和籽晶之间的主生长方向并促进源组合物和籽晶之间的蒸气传输，并将籽晶放置在籽晶夹持器上，使籽晶的宏观生长表面相对于主热梯度和主生长方向形成约70°到89.5°的角度，并且籽晶的晶体取向使晶体的c轴与主热梯度之间形成约0°到2°的角度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 碳化硅 品质 生长 籽晶 夹持 组合 | ||
【主权项】：
1.碳化硅生长系统，包括：坩埚；所述坩埚中的碳化硅源组合物；所述坩埚中的籽晶夹持器；所述籽晶夹持器上的碳化硅籽晶；在所述坩埚中产生主热梯度的装置，其限定了所述源组合物和所述籽晶之间的主生长方向，以促进从所述源组合物到所述籽晶的蒸气传输；并且，将所述籽晶放置在所述籽晶夹持器上且使所述籽晶的宏观生长表面相对于所述主热梯度形成约70°到89.5°的角度。
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