[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200580032494.0 | 申请日： | 2005-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101027751A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 桑原秀明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/786;H01L27/12;G06K19/07;H01L21/336;G06K19/077 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;刘宗杰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供用于通过在大玻璃衬底之上形成由薄膜形成的集成电路并且通过从衬底剥离该集成电路来大量和有效地制造能够在接触优选在不接触的情况下接收或发送数据的微小器件的方法。特别地，由薄膜形成的集成电路非常薄，并且因此存在在运输时集成电路飞逝的威胁，因此其操纵是困难的。根据本发明，分离层(也称作剥离层)通过至少两种不同种类的方法被多次损伤(由于激光照射的损伤、由于蚀刻的损伤、或由于物理措施的损伤)，随后，可以有效地从衬底剥离将被剥离的层。此外，通过使被剥离的器件弯曲成拱形使单独的器件的操纵变得容易。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有包含包括天线的层和包括薄膜晶体管的层的叠层的半导体器件；其中该半导体器件的至少一部分弯曲成拱形使得包括天线的层在内侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
