[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200580032508.9 | 申请日： | 2005-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN101027793A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 李昔宪 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层，形成在第一氮化物半导体层上的第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层，形成在第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的有源层，形成在有源层上的第二氮化物半导体层。另一氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层，形成在第一氮化物半导体层上的有源层，形成在有源层上的第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层，形成在第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的第二氮化物半导体层。再一氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层，形成在第一氮化物半导体层上的第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层，形成在第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的有源层，形成在有源层上的第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层，和形成在第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的第二氮化物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
[1].一种氮化物半导体发光器件包括：第一氮化物半导体层；形成在所述第一氮化物半导体层上的有源层；形成在所述有源层上第二氮化物半导体层；和形成在所述第一氮化物半导体层和所述有源层之间的第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层和/或形成在所述有源层和所述第二氮化物半导体层之间的第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层。
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