[发明专利]激光辐照装置和激光辐照方法有效
| 申请号： | 200580032554.9 | 申请日： | 2005-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101027757A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 田中幸一郎;山本良明;小俣贵嗣 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L29/786;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴娟;段晓玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一个目的在于提供对半导体膜的整个表面进行均匀激光处理的激光辐照装置和激光辐照方法。自第一激光振荡器发出的第一激光束通过狭缝和聚光透镜，接着入射被辐照表面。同时，传送自第二激光振荡器发出的第二激光束使其与被辐照表面上的第一激光束相叠。接着，相对于被辐照表面扫描激光束使被辐照表面均匀退火。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 辐照 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光辐照装置，所述装置包括：第一激光振荡器；第二激光振荡器；用于屏蔽自第一激光振荡器发出的第一激光束的端部的狭缝；聚光透镜；用于传送自第二激光振荡器发出的第二激光束的装置，从而使其覆盖被辐照表面上第一激光束辐照的范围；用于在相对于第一激光束和第二激光束的第一方向上移动被辐照表面的装置；和用于在相对于第一激光束和第二激光束的第二方向上移动被辐照表面的装置。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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