[发明专利]掩模坯件的制造方法有效
| 申请号： | 200580032601.X | 申请日： | 2005-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN101027607A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 大久保靖 | 申请（专利权）人： | HOYA株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F1/08;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 于掩模坯件用基片上形成将成为掩模图案的薄膜的薄膜形成工序和于上述薄膜上形成抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成工序的掩模坯件制造方法，此方法包括：保存包含有将上述抗蚀剂膜形成于上述薄膜上的日期信息的抗蚀剂膜形成信息的工序；将上述抗蚀剂膜形成信息与上述掩模坯件相对应的工序；基于上述抗蚀剂膜形成信息，确定形成于上述掩模坯件上的抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件的工序；将上述确定的掩模坯件上所形成的抗蚀剂膜剥离的工序；在剥离了上述抗蚀剂膜的上述薄膜上再次形成抗蚀剂膜的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 掩模坯件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掩模坯件制造方法，它是具有于掩模坯件用基片上形成将成为掩模图案的薄膜的薄膜形成工序和于上述薄膜上形成抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成工序的掩模坯件制造方法，此方法其特征在于包括：保存包含有将上述抗蚀剂膜形成于上述薄膜上的日期信息的抗蚀剂膜形成信息的工序；将上述抗蚀剂膜形成信息与上述掩模坯件相对应的工序；基于上述抗蚀剂膜形成信息，确定形成于上述掩模坯件上的抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件的工序；将上述确定的掩模坯件上所形成的抗蚀剂膜剥离的工序；在剥离了上述抗蚀剂膜的上述薄膜上再次形成抗蚀剂膜的工序。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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