[发明专利]包括聚合物电极的铁电聚合物存储器件及其制备方法有效
申请号: | 200580032639.7 | 申请日: | 2005-09-21 |
公开(公告)号: | CN101091255A | 公开(公告)日: | 2007-12-19 |
发明(设计)人: | L·洛克福德;E·安迪德 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28;G11C11/22;H01L51/05;H01L27/115;H01L51/30 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李静岚;梁永 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了一种制备具有导电聚合物电极的铁电存储模块的方法,和根据该方法制备的铁电存储模块。铁电聚合物存储模块包括第一组层,该第一组层包括:在其中限定沟槽的ILD层(102);布置在沟槽中的第一电极层(104);布置在第一电极层(104)上的第一导电聚合物层(106);和布置在第一导电聚合物层(106)上的铁电聚合物层(108)。该模块还包括第二组层,该第二组层包括:在其中限定沟槽的ILD层(114);布置在第二组层的ILD层(114)的沟槽中的第二导电聚合物层(112);和布置在第二导电聚合物层(112)上的第二电极层(116)。第一导电聚合物层(106)和第二导电聚合物层(112)覆盖电极层(104,116),用以在电极层(104,116)和铁电聚合物层(108)之间提供反应和/或扩散阻挡。 | ||
搜索关键词: | 包括 聚合物 电极 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种铁电聚合物存储模块,包括:第一组层,包括:在其中限定沟槽的ILD层;布置在ILD层的沟槽中的第一电极层;布置在第一电极层上的第一导电聚合物层;和布置在第一导电聚合物层上的铁电聚合物层;和第二组层,布置在第一组层上以与其一起限定存储单元,该第二组层包括:在其中限定沟槽的ILD层;布置在第二组层的ILD层的沟槽中的第二导电聚合物层;和布置在第二导电聚合物层上的第二电极层;其中第一导电聚合物层和第二导电聚合物层相对于铁电聚合物层覆盖电极层,以在电极层和铁电聚合物层之间提供反应和/或扩散阻挡。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的