[发明专利]织构化发光二极管有效
| 申请号： | 200580032685.7 | 申请日： | 2005-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101036237A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 王望南 | 申请（专利权）人： | 王望南 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 颜涛;郑霞 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种高填充因子的织构化发光二极管结构包括：第一织构化覆层和接触层(2)，包括掺杂III－V或II－VI族化合物半导体或这种半导体的合金，其通过横向外延过生长(ELOG)沉积到图案化衬底(1)上；织构化未掺杂或掺杂的有源层(3)，包括III－V或II－VI族半导体或这种半导体的合金，以及其中发生电子和空穴的辐射复合或发生子能带间的跃迁；以及第二织构化覆层和接触层(4)，包括掺杂III－V或II－VI族半导体或这种半导体的合金。 | ||
| 搜索关键词： | 织构化 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种高填充因子的织构化发光二极管结构，包括：第一织构化覆层和接触层，包括掺杂III-V或II-VI族化合物的半导体或这种半导体的合金，其通过横侧向外延过生长(ELOG)沉积到图案化衬底上；织构化未掺杂或掺杂的有源层，包括III-V或II-VI族半导体或这种半导体的合金，以及其中发生电子和空穴的辐射复合或者发生子能带间的跃迁；以及第二织构化覆层和接触层，包括掺杂III-V或II-VI族的半导体或这种半导体的合金。
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