[发明专利]曝光装置、曝光方法及组件制造方法有效
| 申请号： | 200580032801.5 | 申请日： | 2005-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101031996A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 长坂博之 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种曝光装置(EX)，以液体(LQ)充满投影光学系统(PL)像面侧之光路空间，透过投影光学系统(PL)与液体(LQ)使基板(P)曝光。曝光装置(EX)具备用以测量液体(LQ)之光学特性的测量装置(30)。可根据测量结果以液体混合装置(19)来调整液体之光学特性。能将液浸曝光时之曝光精度维持于所希望状态。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 装置 方法 组件 制造 | ||
【主权项】：
1、一种曝光装置，透过液体使基板曝光，其特征在于，具备：投影光学系统；以及测量装置，用以测量所述液体的光学特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
