[发明专利]使用牺牲隔离体的应变沟道FET有效
| 申请号： | 200580032811.9 | 申请日： | 2005-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101032018A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 陈华杰;杜雷斯蒂·奇达姆巴拉奥;吴尚贤;斯德哈萨·潘达;沃纳·A.·劳施;佐藤力;亨利·K.·尤托莫 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李春晖 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种场效应晶体管(FET)(10)，其包括栅极叠层(29)，一对设置在所述栅极叠层(29)的侧壁上的第一隔离体(32)以及一对设置在所述栅极叠层(29)的相对两侧并与栅极叠层相隔第一距离的单晶半导体合金区(39)。所述FET(10)的源区和漏区(24)至少部分设置在所述半导体合金区(39)中，并由所述第一隔离体(32)对中的相应隔离体与所述栅极叠层(29)间隔开第二距离，所述第二距离可以不同于所述第一距离。所述FET(10)还可以包括设置在所述第一隔离体(32)上的第二隔离体(34)以及至少部分上覆盖所述半导体合金区(39)的硅化物区(40)，其中该硅化物区(40)被所述第一和第二隔离体(32，34)与所述栅极叠层(29)隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 牺牲 隔离 应变 沟道 fet | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管(FET)(10)，包括：上覆盖衬底(17)的单晶半导体区(14)的栅极叠层(29)，所述单晶半导体区(14)具有第一组成；一对设置在所述栅极叠层(29)的相对侧壁上的第一隔离体(32)；一对主要由具有不同于所述第一组成的第二组成的单晶半导体合金组成的区域(39)，所述单晶半导体合金区域(39)设置在所述栅极叠层(29)的相对侧，所述半导体合金区(39)中的每一个与所述栅极叠层(29)相隔第一距离；以及至少部分设置在所述半导体合金区(39)中的相应一个中的一对源区和漏区(24)，所述源区和所述漏区(24)分别由所述第一隔离体(32)对中的相应第一隔离体与所述栅极叠层(29)间隔开第二距离，所述第二距离不同于所述第一距离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司;株式会社东芝，未经国际商业机器公司;株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580032811.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
