[发明专利]集成电路和制造方法有效
| 申请号： | 200580032834.X | 申请日： | 2005-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101031426A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | S·多德;S·J·王;D·W·汤姆;F·R·布赖恩特;T·E·麦马洪;R·T·米勒;G·T·欣德曼 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | B41J2/14 | 分类号： | B41J2/14;H01L23/31;B41J2/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种半导体结构(5)、流体喷射器件，及其制造方法，以便由导电层(30)形成与衬底(10)的接触。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：包括第一表面的衬底；设置于所述第一表面的至少一部分上的第一绝缘材料，所述第一绝缘材料包括形成至所述第一表面的通路的多个开口；设置于所述第一绝缘材料上的第一导电材料，所述第一导电材料被设置为使得所述多个开口基本不含所述第一导电材料；设置于所述第一导电材料以及所述第一绝缘材料的部分上的第二绝缘材料，所述第二绝缘材料被设置为使得所述多个开口基本不含所述第二绝缘材料；以及第二导电材料，其设置于第二绝缘材料上以及多个开口之内使得设置于所述第二绝缘材料上的所述第二导电材料的一些与所述衬底电接触。
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