[发明专利]用于处理衬底的等离子体处理系统有效
申请号: | 200580032890.3 | 申请日: | 2005-08-10 |
公开(公告)号: | CN101032002A | 公开(公告)日: | 2007-09-05 |
发明(设计)人: | 陈立;神原弘光;田才忠;西塚哲也;野泽俊久 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 李剑 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种用于处理衬底的等离子体处理系统包括包含第一室部分和第二室部分的处理室,第一室部分被配置为接收用于提供等离子体空间的第一气体,第二室部分被配置为接收用于提供处理空间的第二气体,第二气体具有处理化学剂以处理衬底。衬底夹持器耦合到处理室的第二室部分,并且被配置为支撑紧邻处理空间的衬底,等离子体源耦合到处理室的第一室部分,并且被配置为在等离子体空间中形成等离子体。栅格位于等离子体空间和处理空间之间,并且被配置为允许等离子体空间和处理空间之间的等离子体扩散以基于处理气体形成处理化学剂。 | ||
搜索关键词: | 用于 处理 衬底 等离子体 系统 | ||
【主权项】:
1.一种用于处理衬底的等离子体处理系统,包括:包括第一室部分和第二室部分的处理室,所述第一室部分被配置为接收第一气体,用于提供等离子体空间,所述第二室部分被配置为接收第二气体,用于提供处理空间,所述处理空间具有处理化学剂以处理所述衬底;衬底夹持器,所述衬底夹持器耦合到所述处理室的所述第二室部分,并且被配置为支撑紧邻所述处理空间的所述衬底;等离子体源,所述等离子体源耦合到所述处理室的所述第一室部分,并且被配置为在所述等离子体空间中形成等离子体;以及位于所述等离子体空间和所述处理空间之间的栅格,所述栅格被配置为允许所述等离子体在所述等离子体空间和所述处理空间之间扩散,以由所述处理气体形成所述处理化学剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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