[发明专利]用于形成薄的完整高介电常数介电层的方法无效
| 申请号： | 200580032958.8 | 申请日： | 2005-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101032004A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 考利·瓦吉达 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李剑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于在半导体应用中形成薄的完整高k层(106、207)的方法。该方法包括在处理室(10、402)中提供衬底(25、102、202、406)，在衬底(25、102、202、406)上沉积厚的完整高k层(206)，并使所沉积的厚的高k层(206)变薄以在衬底(25、102、202、406)上形成薄的完整高k层(106、207)。或者，衬底(25、102、202、406)可以在衬底(25、102、202、406)与高k层(106、207)之间含有界面层(104、204)。变薄可以通过将厚的高k层(206)暴露于反应等离子刻蚀处理来进行，或者也可以通过等离子处理来进行，该等离子处理能够对一部分厚的高k层(206)进行改性并随后用湿法处理除去厚的高k层(206)中经过改性的部分(206a)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 完整 介电常数 介电层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在衬底上形成薄的高k层的方法，所述方法包括：在处理室中提供衬底；使高k材料至少沉积到最小厚度，从而在所述衬底上形成厚的完整高k层；以及使所述厚的完整高k层变薄到小于所述最小厚度的期望厚度，从而形成薄的完整高k层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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