[发明专利]具有隧道触点的半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200580032976.6 | 申请日： | 2005-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101032029A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 海因茨·米特莱纳;迪特里希·斯蒂芬妮 | 申请（专利权）人： | 西塞德电子发展两合公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张亮 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种由碳化硅或类似材料构成的半导体结构，其具有一用作衬底的晶片与一高导隧道触点。为此使用一N型晶片，其中，在进一步外延生长时发生掺杂反转。在通过用一P型掺杂的半导体材料(32)对一用作衬底(30)的N型掺杂晶片进行外延涂覆(P型外延)来制造所述半导体结构时，通过在所述P型外延之前对所述晶片进行N型注入来建立所述隧道触点。借此可特别制造IGBT型元器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隧道 触点 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种由碳化硅或类似材料构成的宽能带间隙的半导体结构，包括：一用作基底的N型晶片(30)；多个布置在所述晶片上面的、具有规定掺杂的半导体层(31至40)；布置在所述基底(30)上的用作第一和第二电极的阴极和阳极以及至少一个隧道触点(50)，其特征在于，所述N型晶片(30)上存在外延生长p层(32，42)，其与所述N型晶片(30)一起构成一隧道触点(50)。
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