[发明专利]用于微电子和微系统的新结构以及制造方法

摘要

本发明涉及一种用于制造包括表面层(2)、至少一个掩埋层(4)、以及支架的半导体结构的方法，该方法包括：在第一支架上形成由第一材料制成的第一层(4)的第一步骤，并且该第一层中的至少一个区域(26、28)由蚀刻速率高于第一材料蚀刻速率的第二材料制成；用于形成表面层(2)的第二步骤，该步骤通过在第二支架上组合该结构并打薄这两个支架中的至少一个而进行。

主权项

1.一种用于制造如下结构的方法，所述结构包括表面层(2、61)、至少一个掩埋层(4、34)、以及支架(6、72)，所述方法包括：-制造第一结构的步骤，所述步骤包括在第一支架(6)上形成由第一材料制成的第一层(4、34)，并且所述第一层中的至少一个区域(26、28、56、58)由第二材料制成，所述第二材料的蚀刻速率不同于所述第一材料的蚀刻速率；-形成所述表面层(2、61)的步骤，该步骤通过所述第一结构与第二支架(32、72)的组合而进行。