[发明专利]无源器件结构无效
| 申请号： | 200580033160.5 | 申请日： | 2005-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101032192A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 坚吉兹·帕兰独兹;Y·闵 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H05K1/16 | 分类号： | H05K1/16;H01L27/01 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种方法包括直接在第一导电材料的薄片上形成陶瓷材料；在该陶瓷材料上形成第二导电材料；以及烧结该陶瓷材料。一种方法包括直接在第一导电材料的薄片上形成陶瓷材料；在该陶瓷材料上形成第二导电材料，使得该陶瓷材料设置在第一导电材料和第二导电材料之间；以足够的温度进行热处理以烧结该陶瓷材料并且形成第二导电材料的薄膜；以及使用不同的导电材料涂覆第一导电材料和第二导电材料中的至少一个的暴露表面。一种器件包括第一电极和第二电极；以及该第一电极和该第二电极之间的陶瓷材料，其中该陶瓷材料被直接烧结在第一电极和第二电极中的一个上。 | ||
| 搜索关键词： | 无源 器件 结构 | ||
【主权项】：
1、一种方法，其包括：直接在第一导电材料的薄片上形成陶瓷材料；在该陶瓷材料上形成第二导电材料；以及烧结该陶瓷材料。
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