[发明专利]等离子体增强氮化物层无效
| 申请号： | 200580033247.2 | 申请日： | 2005-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101032011A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 陈建;斯坦利·M·菲利皮亚克;田容周;塔伯·A·斯蒂芬斯 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/4763 | 分类号： | H01L21/4763;H01L29/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;黄启行 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种刻蚀停止(203)层，位于等离子体增强氮化物(PEN)层(132)上面。然后在刻蚀停止层上面形成了层间介电材料。该刻蚀停止层用作用于刻蚀层间电介质中的开口的刻蚀停止。在某些实施例中，利用PEN层构建的集成电路可以包括在给定的漏电流下具有改善的驱动电流的晶体管。而且，具有PEN层的集成电路可以呈现出减少的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 增强 氮化物 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在晶片上形成等离子体增强氮化物(PEN)层；在晶片上形成刻蚀停止层，其中形成刻蚀停止层包括在PEN层上形成第二层，所述第二层具有不同于PEN层的材料；在第二层上形成层间介电材料层；将所述刻蚀停止层用作刻蚀停止，选择性地刻蚀通过层间介电材料；利用对PEN层和刻蚀停止层不具有选择性的刻蚀剂，选择性地刻蚀通过所述刻蚀停止层和所述PEN层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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