[发明专利]低矮外形、芯片级封装及制作方法无效
| 申请号： | 200580033263.1 | 申请日： | 2005-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101032021A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 纳温钱德拉·卡利达斯;耶雷米亚斯·P·利布雷斯;迈克尔·P·皮尔斯 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/48;H01L21/44 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种具有电绝缘衬底(301)的半导体装置，电绝缘衬底(301)具有第一及第二表面、至少一个开口及给定的厚度。导电路由条带连接第一衬底表面上的接触焊垫(330)。厚度等于或小于所述衬底的半导体芯片(102)定位于衬底开口内，其中边缘间隙(311)将朝外的芯片侧面(703)与朝内的衬底侧面(702)隔开。结合元件(501)跨越所述间隙将衬底路由条带与位于芯片有源表面(102a)上的芯片结合焊垫相连。芯片(102)具有与第二衬底表面(301b)基本共面的无源表面(102b)。囊封材料(701)填充边缘间隙(311)并覆盖有源芯片表面(102a)及结合元件(501)。支撑带(101)－其在组装之后被移除－用于提供与第二衬底表面(301b)及无源芯片表面(102b)基本共面的囊封材料(701)的间隙填充表面(701a)。 | ||
| 搜索关键词： | 低矮 外形 芯片级 封装 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其包含：电绝缘衬底，其具有第一及第二表面以及至少一个穿过所述第一及第二表面的开口；至少一个位于所述第一表面上的导电元件；半导体芯片，其定位于所述至少一个开口内并通过边缘间隙与所述衬底隔开，所述芯片具有包含至少一个结合焊垫的第一表面及第二表面；一个或多个结合元件，其跨越所述间隙将所述至少一个结合焊垫电连接至所述至少一个导电元件；及囊封材料，其覆盖所述第一芯片表面及所述结合元件，并填充所述间隙。
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