[发明专利]用于形成钝化金属层的方法和系统无效
| 申请号： | 200580033351.1 | 申请日： | 2005-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101032000A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 山崎英亮;中村和仁;河野有美子;格特·J·莱乌辛克;芬顿·R·麦克非;保罗·詹姆森 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768;C23C16/56 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李剑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种形成钝化金属层的方法，所述钝化金属层可以在随后暴露于含氧环境时保持下方金属层的性质和形貌。所述方法包括：在处理室(1)中提供衬底(50、302、403、510)；将所述衬底(50、302、403、510)暴露于包含铼－羰基前驱体的处理气体，以在化学气相沉积工艺中将铼金属层(304、408、508)沉积在所述衬底(50、302、403、510)上；在所述铼金属层(304、408、508)上形成钝化层(414、590)，从而抑制所述铼金属表面上含铼结粒(306)的氧致生长。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 钝化 金属 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种形成钝化金属层的方法，所述方法包括：在处理系统的处理室中提供衬底；将所述衬底暴露于包含铼-羰基前驱体的处理气体，以在热化学气相沉积工艺中将铼金属层沉积在所述衬底上；在所述铼金属层上形成钝化层，其中所述钝化层能够有效地抑制所述铼金属层表面上含Re结粒的氧致生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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