[发明专利]低喷射能微流体喷射头无效
| 申请号： | 200580033491.9 | 申请日： | 2005-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101035678A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 弗兰克·E·安德森;拜伦·V·贝尔;罗伯特·W·康奈尔;关一民 | 申请（专利权）人： | 莱克斯马克国际公司 |
| 主分类号： | B41J2/05 | 分类号： | B41J2/05 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建忠 |
| 地址： | 美国肯*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供具有改进的低能设计的微流体喷射器件结构和用于其的方法。器件包括半导体衬底和在半导体衬底上淀积的绝缘层。由选自包含TaAl、Ta2N、TaAl(O，N)、TaAlSi、Ti(N，O)、WSi(O，N)、TaAlN和TaAl/TaAlN的组的电阻层在绝缘层上形成多个加热器电阻器。在多个加热器电阻器上淀积选自可氧化金属并具有约500～5000埃的厚度的牺牲层。由第一金属导电层在牺牲层上形成电极以提供与多个加热器电阻器的阳极和阴极连接。牺牲层在等离子氧化工艺中被氧化以在多个加热器电阻器上提供流体接触层。 | ||
| 搜索关键词： | 喷射 流体 | ||
【主权项】：
1.一种微流体喷射器件结构，包括：半导体衬底；在半导体衬底上淀积的绝缘层；由选自包含TaAl、Ta2N、TaAl(O，N)、TaAlSi、Ti(N，O)、WSi(O，N)、TaAlN和TaAl/TaAlN的组的电阻层在绝缘层上形成的多个加热器电阻器；在多个加热器电阻器上淀积的选自可氧化金属并具有约500～5000埃的厚度的牺牲层；由第一金属导电层在牺牲层上形成的电极，用于提供与多个加热器电阻器的阳极和阴极连接，其中，牺牲层被氧化以在多个加热器电阻器上提供流体接触层。
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