[发明专利]衬底激光切片方法无效
| 申请号： | 200580033867.6 | 申请日： | 2005-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101036223A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 安东尼厄斯·J.·亨德里克斯;亨德里克·J.·克特勒瑞;伊瓦尔·J.·博依夫金 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B23K26/40;B23K26/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种采用激光设备对衬底切片的方法，其包括的步骤有：从所述激光设备向所述衬底提供激光束(15)，从而将所述衬底(1)切片为至少两个管芯。在所述切片方法的第一阶段内向衬底提供第一辅助气体，在所述切片方法的第二后继阶段内向所述衬底提供第二辅助气体。所述方法能够在衬底的切片过程中形成降低的街区宽度，因而能够节约成本高昂的衬底面积。本发明还涉及一种激光切片系统、一种用于执行所述方法的计算机程序产品和一种可以通过所述方法得到的硅管芯。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 激光 切片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用激光设备(11)对衬底(1)切片的方法，其包括的步骤有：从所述激光设备向所述衬底提供激光束(15)，从而将所述衬底切片为至少两个管芯(2)；在所述切片方法的第一阶段(t0-t5)内，在所述衬底提供第一辅助气体；以及在所述切片方法的第二后继阶段(t5-t7)内，在所述衬底提供第二辅助气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
