[发明专利]从蚀刻沟槽中移除聚合物涂层的方法无效
| 申请号： | 200580033918.5 | 申请日： | 2005-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN101036218A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 达雷尔·拉鲁埃·麦克雷诺兹;卡·西尔弗布鲁克 | 申请（专利权）人： | 西尔弗布鲁克研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 澳大利亚*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种从限定在硅晶片[5]中的蚀刻沟槽的侧壁上移除聚合物涂层的方法。该方法包括在偏压等离子体蚀刻室中利用O2等离子体蚀刻晶片。室温度在90～180℃范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 沟槽 聚合物 涂层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种从限定在硅晶片中的蚀刻沟槽的侧壁上移除聚合物涂层的方法，所述方法包括在偏压等离子体蚀刻室中利用O2等离子体蚀刻所述晶片，其中所述室的温度为90～180℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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