[发明专利]使用依赖角度的灵敏度的基于自旋转移的MRAM无效
| 申请号： | 200580034110.9 | 申请日： | 2005-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101036195A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 弗雷德里克·B·曼科夫;布雷德利·N·恩格尔;尼古拉斯·D·里佐 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;黄启行 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 使用自旋转移反射模式技术可以选择性地写入磁随机存取存储器(MRAM)设备(200)。通过自旋转移切换电流对MRAM单元中的极化器元件(204)和自由磁元件(208)的磁化之间的相对角度的依赖关系，实现了MRAM阵列中的指定MRAM单元的选择性。极化器元件具有可变磁化，其可以响应电流施加而改变，例如，响应数位电流(226)的施加而改变。当极化器元件的磁化处于天然的缺省取向中时，保持MRAM单元中的数据。当切换极化器元件的磁化时，可以响应相对低的写入电流(224)的施加，将数据写入MRAM单元。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 依赖 角度 灵敏度 基于 自旋 转移 mram | ||
【主权项】：
1.一种磁随机存取存储器(MRAM)设备，包括：磁极化器，其具有第一可变磁化；自由磁元件，其具有第二可变磁化；传导隔层元件，其位于所述磁极化器和所述自由磁元件之间。
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