[发明专利]利用化学气相沉积法以粘性前驱物沉积功能性梯度介电膜层的方法及系统无效
申请号: | 200580034510.X | 申请日: | 2005-08-29 |
公开(公告)号: | CN101065835A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | 迪内士·帕德希;朴贤秀;甘恩士·巴拉萨布拉曼尼恩;胡安·卡洛斯·罗奇-阿尔维斯;夏立群;德里克·R·威蒂;希姆·M’萨德 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/316 | 分类号: | H01L21/316;H01L21/768;C23C16/40 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了一种在下垫层上形成梯度介电层的方法,该方法包含通过一包含一阻隔板及一面板的喷头导入一含硅碳气体、含氧气体及载气的气体混合,以形成此梯度介电层的富含氧化物部分,其中含硅碳气体具有初始流速;以一高于初始流速的第一中间流速导入含硅碳气体大约0.5秒或更长时间;以及以一高于第一中间流速的最快流速导入含硅碳气体,以形成梯度介电层中富含碳部分。 | ||
搜索关键词: | 利用 化学 沉积 粘性 前驱 功能 梯度 介电膜层 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种在一下垫层上形成一梯度介电层的方法,该方法包含:经由一具有一阻隔板及一面板的喷头导入一含硅碳气体、一含氧气体与一载气的一混合气体,以形成该梯度介电层的一富含氧化物部分,其中该含硅碳气体具有一初始流速;以一第一中间流速导入含硅碳气体大约0.5秒或更长时间,其中该第一中间流速较该初始流速高;以及以一较该第一中间流速为高的最快流速导入该含硅碳气体,以形成该梯度介电层的一富含碳部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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