[发明专利]具有最优化应力效应的双沟槽的晶体管结构及其方法有效
| 申请号： | 200580034575.4 | 申请日： | 2005-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101124668A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 陈建;迈克尔·D·特纳;詹姆斯·E·瓦谢克 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/76 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;黄启行 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于形成部分半导体器件结构(30)的方法，包括：提供绝缘体上半导体基板，其具有半导体有源层(34)、绝缘层(32)和半导体基板。第一隔离沟槽(40)形成在半导体有源层中，并且将应变材料(42)淀积在第一沟槽的底部，其中应变材料包括双用膜。第二隔离沟槽(44)形成在半导体有源层中，其中第二隔离沟槽在第二沟槽底部不具有应变材料。应变材料分别在第一和第二隔离沟槽中的存在和不存在提供了：(i)在半导体器件结构的一个或多个N型或P型器件上的，(ii)关于一个或多个宽度方向或沟道方向取向的，和(iii)用于定制一个或多个<100>或<110>绝缘体上半导体基板的应力益处的差应力。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 优化 应力 效应 沟槽 晶体管 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成部分半导体器件结构的方法，包括：提供绝缘体上半导体基板，其具有半导体有源层、绝缘层和半导体基板；在半导体有源层中形成第一隔离沟槽，在所述第一沟槽的底部上淀积应变材料，其中应变材料包括双用膜；并且在半导体有源层中形成第二隔离沟槽，其中所述第二隔离沟槽在第二沟槽底部不具有应变材料，并且其中应变材料分别在第一和第二隔离沟槽中的存在和不存在提供了：(i)在半导体器件结构的一个或多个N型或P型器件上的，(ii)关于一个或多个宽度方向或沟道方向取向的，和(iii)用于定制一个或多个<100>或<110>绝缘体上半导体基板的应力益处的差应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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