[发明专利]防止风挡成霜和便于除去风挡的冬季沉积物的方法以及该方法中所用的组合物无效
申请号: | 200580034779.8 | 申请日: | 2005-08-15 |
公开(公告)号: | CN101040026A | 公开(公告)日: | 2007-09-19 |
发明(设计)人: | L·A·加拉赫尔;R·A·马沙尔;M·V·亚历山大 | 申请(专利权)人: | 霍尼韦尔国际公司 |
主分类号: | C09K3/18 | 分类号: | C09K3/18;C08L83/12;C03C17/30;B60S1/02;F25D21/10 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘冬;李连涛 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了一种防止风挡成霜和便于除去风挡的冬季沉积物的方法,所述方法包括向风挡涂覆冬季沉积物隔离组合物。在一个实施方案中,所述隔离组合物包含:溶剂和含硅化合物,所述含硅化合物包括至少一种活性硅烷、聚环氧烷聚硅氧烷或至少一种上述化合物的组合,其中所述活性硅烷为至少一种具有式(I)结构的卤代硅烷;具有式(II)结构的烷氧基硅烷或氨基硅烷;具有式(III)结构的化合物;或包含一种或多种上述活性硅烷的组合。在另一个实施方案中,所公开的冬季沉积物隔离组合物包含活性硅烷和溶剂,其中所述活性硅烷如上所述。 | ||
搜索关键词: | 防止 风挡 便于 除去 冬季 沉积物 方法 以及 所用 组合 | ||
【主权项】:
1.一种冬季沉积物隔离组合物,所述组合物包含:活性硅烷和溶剂,其中所述活性硅烷为下述化合物中的至少一种:具有下式结构的卤代硅烷:XnSiR4-n1(I)其中n为1-3的数,R1为直链、支链或环状的取代或未取代的C1-C30烷基、C2-C30烯基、C6-C36芳基、烷芳基或芳烷基,X为F、Cl、Br或I;具有下式结构的烷氧基硅烷或氨基硅烷:
其中所述烷氧基硅烷或氨基硅烷不包含Si-Si键;各R2-R5可相同或不同;至少两个R2-R5为式OR6或NR7R8;剩余的R2-R5独立为可任选包含非硅的杂原子的直链、支链或环状的取代或未取代的C1-C30烷基、C2-C30烯基、C6-C36芳基、烷芳基或芳烷基;R6可为可任选包含非硅的杂原子的直链、支链或环状的取代或未取代的C1-C30烷基、C2-C30烯基、C6-C36芳基、烷芳基或芳烷基;R7和R8可相同或不同,可为氢或可任选包含非硅的杂原子的直链、支链或环状的取代或未取代的C1-C30烷基、C2-C30烯基、C6-C36芳基、烷芳基或芳烷基;具有下式结构的化合物(R6)3Si-R7-Si(R8)3 (III)其中R6和R8独立为卤素或直链、支链或环状的取代或未取代的C1-C30烷氧基,R7为可任选包含非硅的杂原子的直链、支链或环状的取代或未取代的C1-C30烷基、C2-C30烯基、C6-C36芳基、烷芳基或芳烷基;或包含一种或多种上述活性硅烷的组合。
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