[发明专利]用于等离子体室中的均匀等离子体分布的等离子体源无效
| 申请号： | 200580034938.4 | 申请日： | 2005-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101040366A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 金南宪 | 申请（专利权）人： | 自适应等离子体技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;潘士霖 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在此公开了一种可以在反应室中产生等离子体以加工半导体晶片的等离子体源。该等离子体源包括配备在该反应室的上中央的衬套、以及从该衬套线性地延伸到该反应室的边缘的多个源线圈。利用该线性源线圈，可以防止径向方向上的从该等离子体源的中央到该等离子体源的边缘的磁场偏差，导致易于控制在该反应室的中央和该反应室的边缘的临界尺度和均匀的蚀刻速率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 中的 均匀 分布 | ||
【主权项】：
1.一种用于在反应室中产生等离子体以便加工半导体晶片的等离子体源，包括：导电衬套，其配备在所述反应室的上中央；以及多个源线圈，其从所述衬套线性地延伸到所述反应室的边缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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