[发明专利]固态成像装置及其制造方法和照相机无效
申请号: | 200580034997.1 | 申请日: | 2005-10-14 |
公开(公告)号: | CN101040382A | 公开(公告)日: | 2007-09-19 |
发明(设计)人: | 稻叶雄一;笠野真弘 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H04N5/335 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;陈红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种固态成像装置(1),其具有在N型半导体层(101)上依次层叠形成的P型半导体层(102)、绝缘层(104)、滤色片(106)、透光层(107)和聚光层(108)的结构。在位于绝缘层(104)侧面上的P型半导体层(102)中形成多个光二极管(103)。该多个光二极管(103)通过二维方式不均等排列而密集安装。由于彼此邻近排列的多个光二极管(103)共享透光层(107)和聚光层(108),因此可改善聚光效率。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 及其 制造 方法 照相机 | ||
【主权项】:
1.一种固态成像装置,包括:二维排列的多个光电转换单元;以及将入射光聚焦到所述多个光电转换单元上的多个聚光单元,其中,所述多个光电转换单元中的至少两个光电转换单元比其它光电转换单元彼此更邻近设置,以及所述至少两个光电转换单元共享多个聚光单元的其中之一。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的