[发明专利]太阳能电池背接触上的导电层的接触隔离方法和相应的太阳能电池

摘要

公开了一种生产包含半导体衬底(2)的太阳能电池(1)的方法，其电接触实现在半导体衬底的背面上。半导体衬底的背面包含局部掺杂区域(3)。相邻区域(4)具有与所述区域(3)不同的掺杂。根据本发明，可以避免太阳能电池的导电材料(5)的短路，由此区域(3，4)至少在其边界(6)处覆盖有电绝缘薄层(7)。然后在两区域(3，4)的整个表面上覆盖导电材料(5)。导电材料层(5)的隔离通过将蚀刻阻挡层(8)覆盖在其整个表面上来实现，随后不使用掩蔽而是例如通过激光烧蚀在绝缘层(7)上方选择性局部移除所述蚀刻阻挡层(8)。通过蚀刻溶液的后续腐蚀，从蚀刻阻挡层(8)的开口区域(9)中局部移除导电层(5)。

主权项

1.一种制造太阳能电池(1)的方法，包括下列步骤：提供具有衬底正面和衬底背面的半导体衬底(2)；在所述衬底背面上分别形成发射极区域(3)和基极区域(4)；在衬底背面上的至少所述发射极区域(3)邻接所述基极区域(4)的区域边界(6)上方的结区中形成电绝缘层(7)；至少在所述衬底背面的部分区域上沉积金属层(5)；至少在所述金属层(5)的部分区域上沉积蚀刻阻挡层(8)，其中所述蚀刻阻挡层(8)基本阻挡用于蚀刻所述金属层(5)的蚀刻剂；至少在所述结区的部分区域中局部移除所述蚀刻阻挡层(8)；蚀刻所述金属层(5)，其中在局部移除所述蚀刻阻挡层(8)的部分区域中基本移除所述金属层(5)。