[发明专利]与BiCMOS兼容的JFET器件及其制造方法

摘要

公开了一种包括源极和漏极区(17、18)的与BiCMOS兼容的JFET器件，以与用于形成发射极外扩散或垂直双极型器件相同的方式形成所述源极和漏极，其中，形成双极型器件中的发射极帽的半导体层形成了JFET器件的沟道(16)，以及形成双极型器件的本征基极区的材料层(即，基极epi－叠层)形成了JFET器件的本征栅极区(14)。结果，可以在标准BiCMOS工艺中实现JFET器件的集成，而无需任何附加掩模或其他处理步骤。

主权项

1.一种制作JFET器件的方法，所述方法包括：提供半导体衬底(30)；在所述衬底上外延沉积第一导电类型的半导体材料的第一层(44)；以及在所述第一层(44)上提供相对轻掺杂的第二导电类型的半导体材料的第二层(46)；在所述第二层(46)中形成相对重掺杂的所述第二导电类型的第一扩散区和第二扩散区(17、18)，其中所述第一材料层(44)形成所述器件的内部栅极区(14)，所述第一扩散区和所述第二扩散区分别形成所述器件的源极区和漏极区(17、18)，以及所述第二材料层(46)形成所述源极区和所述漏极区(17、18)之间的沟道(16)。