[发明专利]使用磁阻传感器测量磁场的方法和设备有效
申请号: | 200580035519.2 | 申请日: | 2005-10-17 |
公开(公告)号: | CN101044412A | 公开(公告)日: | 2007-09-26 |
发明(设计)人: | N·比齐埃;C·费尔蒙;M·帕内捷 | 申请(专利权)人: | 原子能源局 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 用于使用磁阻传感器来测量磁场的设备,包括至少一个磁阻传感器(5),用于测量该磁阻传感器(5)的电阻的模块(50),用于在包含该磁阻传感器(5)的空间中生成附加磁场的生成器模块(40,6),以及控制单元(60),控制单元首先用于选择性地控制该生成器模块(40,6)来实施附加磁场脉冲,附加磁场脉冲具有正或负的以及可充分使该传感器(5)饱和的强度的第一极性的第一值,并且控制单元其次通过测量电阻的模块(50)选择性地控制对该磁阻传感器(5)电阻的测量。 | ||
搜索关键词: | 使用 磁阻 传感器 测量 磁场 方法 设备 | ||
【主权项】:
1.一种通过使用磁阻传感器测量外磁场值的方法,该方法特征在于包括:第一步骤,用于在每次测量外磁场前,在包含该磁阻传感器的空间中在原处施加至少有一个附加磁场脉冲,所述第一步骤本身包括第一子步骤,第一子步骤用于施加表现出正极性和充分使该传感器饱和的强度的第一值的第一附加磁场脉冲,并用在该传感器电阻的高饱和最大值(Rmax)的测量中,还包括第二子步骤,第二子步骤用于施加表现出具有负极性和充分使该传感器饱和的强度的第二值的第二附加磁场脉冲,并用在该传感器电阻的低饱和最小值(Rmin)的测量中;以及第二步骤,在第二步骤中施加不使该传感器饱和的预先确定值的所述附加磁场,并且测量该磁阻传感器的有效电阻(Reff)以及使用前面测量过的高饱和最大电阻和低饱和最小电阻(Rmax,Rmin)自动校准该有效电阻(Reff)的测量,确定用于确定外磁场值的校正电阻值(Rcor)。
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