[发明专利]在基板上敷设导电透明涂层的方法及设备无效
申请号: | 200580035585.X | 申请日: | 2005-09-07 |
公开(公告)号: | CN101044263A | 公开(公告)日: | 2007-09-26 |
发明(设计)人: | 斯蒂芬·鲍尔;尼科·斯库尔特兹;克里斯蒂安·赫恩;安德列亚·安东 | 申请(专利权)人: | 肖特股份公司 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511;C23C16/455;C23C16/40;C23C16/52;C23C16/08;C23C16/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李德山 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种用于在反应器的等离子腔内的基板上敷设导电透明涂层或TCO涂层的等离子脉冲CVD方法(PICVD方法),通过微波注入设备将具有适当强度和脉冲持续时间的微波脉冲注入到所述等离子腔中以产生等离子体。通过使用保护设备专门抑制了导电涂层在微波注入设备上的形成,否则微波透射性的较大削弱将会造成等离子体强度的下降,最终抑制等离子体的形成。用于抑制层的形成的所述保护设备例如可以是位于等离子腔和微波注入设备之间的覆盖、屏蔽或分离设备,其例如是薄膜或胶带,可选地能够以特定的间隔被清洁或更换。基板本身也可以被用作覆盖或分离设备。通过控制等离子腔内的气体成分,也可以有效抑制不需要的层的形成。所述微波注入设备和/或所述保护设备可以被冷却到一定的温度水平,在这种温度水平下淀积出基本上不阻碍微波透射的非导电或弱导电的涂层。本发明还涉及一种用于实现上述方法的PICVD反应器。 | ||
搜索关键词: | 基板上 敷设 导电 透明 涂层 方法 设备 | ||
【主权项】:
1、一种用于在反应器设备的等离子腔内的基板上敷设导电透明涂层(TCO涂层)的等离子脉冲CVD方法(PICVD方法),通过以下步骤实现:将一种承载气体和一种前导气体馈送到一种处理气体中,并通过一个微波注入设备注入微波脉冲以产生等离子体,其中通过一个保护设备抑制导电涂层在微波注入设备上的形成。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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