[发明专利]曝光装置、曝光方法及组件制造方法有效
| 申请号： | 200580035594.9 | 申请日： | 2005-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN101044593A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 木田佳己 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种曝光装置、曝光方法及组件制造方法。曝光装置(EX)具备测量装置(60)，该测量装置(60)在与曝光对象之基板(P)不同之物体上形成有液浸区域(LR)之状态下，对液体(LQ)之性质与成分中至少一者进行测量。所提供之曝光装置，可事先判断液体之状态，施以适当的处理，以此，透过液体来高精度进行曝光处理与测量处理。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 装置 方法 组件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种曝光装置，透过光学构件对基板照射曝光用光来使所述基板曝光，其特征在于，具备：物体，与在所述光学构件的光出射侧所配置的所述基板相异；液浸机构，用以在所述光学构件与所述物体之间的光路空间充满液体；以及测量装置，在与所述基板相异的物体上形成有液浸区域的状态下，对液体的性质与成分中至少一者进行测量。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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