[发明专利]具有垂直U形晶体管的DRAM单元

摘要

本发明包含具有U形晶体管(2406)的半导体结构(100)，所述U形晶体管(2406)通过蚀刻半导体衬底(110)形成。在一个实施方案中，将所述晶体管的源极/漏极区设置在由衬底(110)中相交的沟槽限定的支柱对的顶部上。一根支柱通过在环绕的沟槽上方延伸的槽脊(2407)连接到所述对中的另一根支柱上。所述槽脊和所述支柱的下部限定在U形结构的相反侧的U形沟道，面向在这些相反侧的沟槽中的栅极结构，形成两面环绕的晶体管。任选地，还使用栅极电极材料填充在一对支柱之间的空间以限定三面环绕的栅极晶体管。每一对源极/漏极区中的一个延伸至位线(2914)，并且另一个延伸至存储器存储器件，如电容器(2910)。本发明还包括形成半导体结构的方法。

主权项

1.一种用于形成集成电路用晶体管的方法，所述方法包括：蚀刻半导体衬底以形成U形硅支柱对和环绕所述U形硅支柱对的蚀刻区域，其中所述硅支柱对包含第一支柱和第二支柱；在第一支柱中形成第一源极/漏极区；在第二支柱中形成第二源极/漏极区；和在所述蚀刻区域的至少一部分中形成栅极线，其中所述栅极线至少部分环绕第一支柱和第二支柱，其中第一源极/漏极区、第二源极/漏极区和所述栅极线的至少一部分形成U形晶体管。