[发明专利]具有不同晶向硅层的绝缘体上硅半导体装置以及形成该绝缘体上硅半导体装置的方法

摘要

本发明提供一种包括具有第一晶向的衬底及在衬底上的绝缘层的半导体装置。在绝缘层上形成多个硅层。第一硅层包括具有第一晶向的硅而第二硅层包括具有第二晶向的硅。此外，本发明又提供一种方法以形成设有包括其上具有硅层的衬底及插置在衬底与硅层间的第一绝缘层的绝缘体上硅结构的半导体装置。通过移除硅层及第一绝缘层的一部分以曝露出衬底层的一部分而在绝缘体上硅结构的第一区域形成开孔。在此开孔中生长选择性外延硅。在生长于开孔中的硅中形成第二绝缘层以在开孔中生长的硅与衬底之间设置绝缘层。

主权项

1.一种半导体装置，包含：具有第一晶向的衬底12；在该衬底12上的绝缘层40；在该绝缘层40上的多个硅层16、30，其中第一硅层16包含具有该第一晶向的硅，且第二硅层30包含具有第二晶向的硅。