[发明专利]等离子体CVD装置无效
| 申请号： | 200580035904.7 | 申请日： | 2005-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN101044603A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 熊田辉彦;保田直纪;信时英治;松本纪久;松野繁 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;H01L21/31;H01L21/768;C23C16/38;C23C16/509 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供等离子体CVD装置，其具备供给含有硼嗪骨架的化合物的设备(5)、为了发生等离子体的等离子体发生器、在设置基板(8)的电极(7)上施加负电荷的设备(2)。根据这样的本发明，可以提供长期稳定地获得低介电常数和高机械强度，同时降低在加热膜时放出的气体成分(脱气)量，在器件制造工艺上不引起不适宜情况的等离子体CVD装置。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 cvd 装置 | ||
【主权项】：
1.等离子体CVD装置，其具备供给含有硼嗪骨架的化合物的设备(5)、为了发生等离子体的等离子体发生器、在设置基板(8)的电极(7)上施加负电荷的设备(2)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
