[发明专利]形成具有双层电介质的晶体管的方法有效
| 申请号： | 200580036067.X | 申请日： | 2005-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101044628A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | R·霍夫曼;P·马迪洛维奇 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49;H01L21/336;H01L21/445 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘冬;李连涛 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了用于形成具有双层电介质(108，110)的晶体管(100)的方法、装置、部件和/或系统的实施方案。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 双层 电介质 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，所述方法包括：在基底(102)的至少一部分的上方形成沟道层(104)，其中所述沟道层(104)主要包含氧化铟锌，用一个或多个低温方法在基底的至少一部分的上方沉积第一材料以形成电介质层的第一部分(108)，至少部分所述电介质层的第一部分(108)包含无机电介质材料；用一个或多个溶液方法向所述电介质层的第一部分的上方和/或与之接触地沉积第二材料以形成电介质层的第二部分(110)，至少部分所述电介质层的第二部分(110)包含有机电介质材料，以形成薄膜晶体管(TFT)(100)的至少一部分。
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