[发明专利]电迁移控制无效
| 申请号： | 200580036086.2 | 申请日： | 2005-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN101044612A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 让－菲利普·雅克曼 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了一种控制半导体器件的图案化导电层(9)中的电迁移及其不利效应的方法。通过选定原子的注入，在沿金属互连(9)的长度的相应位置处产生多个空位阻碍物(10)。每一个空位阻碍物(10)引起通过电迁移(8)产生的空位在其位置处聚积，从而沿线路(9)的长度分布该电迁移的总效应，并且显著地增加了半导体器件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 迁移 控制 | ||
【主权项】：
1.一种在集成电路的衬底上形成导电线路(9)的方法，所述方法包括：在所述衬底(5)上沉积导电材料的线路(9)；以及通过选定原子的注入，在沿其长度的一个或更多位置处改变所述导电线路(9)的晶体结构，以便产生相应的一个或更多空位阻碍物(10)，用于引起在操作期间由所述导电线路(19)内的电迁移(8)产生的空位聚积于此处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
