[发明专利]基片到掩膜对准和紧固系统有效
申请号: | 200580036251.4 | 申请日: | 2005-10-20 |
公开(公告)号: | CN101084326A | 公开(公告)日: | 2007-12-05 |
发明(设计)人: | 托马斯·P·布罗迪;保罗·R·马姆伯格;杰弗里·W·康拉德 | 申请(专利权)人: | 阿德文泰克全球有限公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈源;张天舒 |
地址: | 英属维尔京*** | 国省代码: | 维尔京群岛;VG |
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摘要: | 本发明是一种用于提供基片到掩膜对准机构、紧固机构和温度控制机构的基片架系统和方法。该基片架系统适用于自动阴影掩膜真空沉积处理。该基片架系统包括系统控制器和被放置在磁性卡盘组件与掩膜架组件之间的基片。该磁性卡盘组件包括磁性卡盘、热电器件、多个热传感器和多个光源。该掩膜架组件包括阴影掩膜、掩膜架、运动控制系统和多个摄像头。本发明的基片架系统提供基片和阴影掩膜之间的紧密接触来避免蒸发物材料进入其间间隙的可能性。 | ||
搜索关键词: | 基片到掩膜 对准 紧固 系统 | ||
【主权项】:
1.一种材料沉积系统,其包括:磁性卡盘,所述磁性卡盘可以在第一状态和第二状态之间切换,其中在第一状态下所述磁性卡盘产生的磁通量从其接触面传播,在第二状态下没有磁通量从其接触面传播;磁导阴影掩膜,所述阴影掩膜定义了接触面;以及支撑装置,其用于可移动地支撑所述阴影掩膜的接触面,所述阴影掩膜的接触面与所述磁性卡盘的接触面是隔开的平行关系,当基片被定位在所述磁性卡盘的接触面和所述阴影掩膜的接触面之间时,对所述磁性卡盘从第二状态切换到第一状态产生响应,所述磁性卡盘产生的磁通量把所述阴影掩膜向所述磁性卡盘的方向吸引,从而把所述基片夹持在所述磁性卡盘的接触面和所述阴影掩膜的接触面之间。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的