[发明专利]新聚有机硅氧烷介电材料无效
| 申请号： | 200580036255.2 | 申请日： | 2005-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101044604A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | J·T·兰塔拉;J·波拉萨里;J·凯尔马;T·T·托马南;J·皮蒂凯南;N·哈克;A·哈德兹克 | 申请（专利权）人： | 西雷克斯有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;C08G77/60;H01B3/46 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘冬;韦欣华 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜，所述薄膜包含通过聚合具有式(I)的单体(其中R1为可水解基团，R2为极化性减小有机基团，R3为桥联烃基)以形成硅氧烷材料得到的组合物。本发明也涉及用于制备薄膜的方法。薄膜可用作集成电路装置中的低k电介质。新介电材料具有优良的平面化性能，导致在半导体衬底形态顶部良好的局部和全局平面性，这减小或消除在电介质和氧化物衬垫沉积后对化学机械平面化的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 有机硅 氧烷介电 材料 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜，所述薄膜包含通过聚合具有式I的单体以形成硅氧烷材料得到的组合物：![]()
其中：R1为可水解基团，R2为极化性减小有机基团，和R3为桥联线形或分支烃基残基。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
