[发明专利]工件的离子束铣削及其程度的确定和控制无效
| 申请号： | 200580036411.5 | 申请日： | 2005-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101069260A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | D·博古斯拉夫斯基;V·彻里平;C·史密思 | 申请（专利权）人： | 西拉半导体工程实验室有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/305 | 分类号： | H01J37/305;H01J37/147 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温大鹏 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 以色列;IL |
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| 摘要： | 用于对工件进行受到引导的经过多次偏转的离子束铣削并确定和控制其程度的方法、装置和系统。提供离子束；并且引导所述提供的离子束并使所述提供的离子束产生至少两次偏转从而形成受到引导的经过多次偏转的离子束，其中所述受到引导的经过多次偏转的离子束被导向、入射且撞击在所述工件的表面上并且对所述工件表面进行铣削。装置包括离子束源组件；和用于引导所述提供的离子束并使所述提供的离子束产生至少两次偏转从而形成受到引导的经过多次偏转的离子束的离子束引导和多次偏转组件，其中所述受到引导的经过多次偏转的离子束被导向、入射且撞击在所述工件的表面上并且对所述工件表面进行铣削。 | ||
| 搜索关键词： | 工件 离子束 铣削 及其 程度 确定 控制 | ||
【主权项】：
1、一种用于对工件进行受到引导的经过多次偏转的离子束铣削的方法，所述方法包括：提供离子束；并且引导所述提供的离子束并使所述提供的离子束产生至少两次偏转从而形成受到引导的经过多次偏转的离子束，其中所述受到引导的经过多次偏转的离子束被导向、入射且撞击在所述工件的表面上并且对所述工件表面进行铣削。
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