[发明专利]薄膜半导体装置及其制作方法无效
| 申请号： | 200580036681.6 | 申请日： | 2005-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101053085A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | G·S·赫尔曼;R·霍夫曼;P·马迪洛维奇 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L21/336;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;张志醒 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在形成半导体装置(20、40、50、60、70、80)的一种方法中，形成第一电极(30)，该第一电极(30)与半导体材料(28)电气耦合。在形成第一电极(30)之后，与第一电极(30)相邻且从第一电极(30)延伸选定距离(36、76)从而在半导体(28)上形成绝缘体(34、74)。在形成绝缘体(34、74)之后，形成与半导体材料(28)电气耦合且与绝缘体(34、74)相邻的第二电极(38、62、78)。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体装置(20、40、50、60、70、80)的方法，包括：形成与半导体(28)电气耦合的第一电极(30)；在形成所述第一电极(30)之后，与所述第一电极(30)相邻且从所述第一电极(30)延伸选定距离(36、76)从而在所述半导体(28)上形成绝缘体(34、74)；以及在形成所述绝缘体(34、74)之后，形成与所述半导体(28)电气耦合且与所述绝缘体(34、74)相邻的第二电极(38、62、78)。
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