[发明专利]包含光电活性半导体材料的光电池无效
| 申请号： | 200580036891.5 | 申请日： | 2005-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101048877A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | H－J·施特策尔 | 申请（专利权）人： | 巴斯福股份公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0296;C30B29/48 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 刘金辉;林柏楠 |
| 地址： | 德国路*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种包含光电活性半导体材料的光电池。所述光电池的特征在于光电活性半导体材料为具有式(I)的二元化合物或具有式(II)的三元化合物的p－掺杂或n－掺杂的半导体材料：ZnTe(I)，Zn1－xMnxTe(II)，其中x为0.01－0.99的数。在所述光电活性半导体材料中的一定比例碲离子由卤离子和氮离子替代且卤离子选自氟离子、氯离子和溴离子或其混合物。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 光电 活性 半导体材料 光电池 | ||
【主权项】：
1.一种包含光电活性半导体材料的光电池，其中所述光电活性半导体材料为包含式(I)的二元化合物或式(II)的三元化合物的p-或n-掺杂的半导体材料： ZnTe (I) Zn1-xMnxTe (II)其中x为0.01-0.99，且所述光电活性半导体材料中的一定比例碲离子已由卤离子和氮离子替代且所述卤离子选自氟离子、氯离子和溴离子及其混合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于巴斯福股份公司，未经巴斯福股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580036891.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
