[发明专利]金属陶瓷衬底或铜陶瓷衬底的制造方法以及用于所述方法中的支架有效
申请号: | 200580036953.2 | 申请日: | 2005-10-05 |
公开(公告)号: | CN101049056A | 公开(公告)日: | 2007-10-03 |
发明(设计)人: | 于尔根·舒尔茨-哈德;安德列斯·K·弗瑞茨曼;亚历山大·罗格;卡尔·伊格赛尔 | 申请(专利权)人: | 库拉米克电子学有限公司 |
主分类号: | H05K3/02 | 分类号: | H05K3/02;H05K1/03;H05K13/00;H01L23/373;C04B37/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 赵科 |
地址: | 德国埃*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种用于制造金属陶瓷衬底的方法,在其两侧利用直接键合工艺金属化。根据所述方法,通过加热到直接键合温度,在支架(1)的隔离层(2)上形成至少一个包括第一和第二金属层(3,5)以及位于所述金属层(3,5)之间的陶瓷层(4)的DCB堆叠。在键合过程中,至少一个所述金属层(3,5)支撑在隔离层(2)上,该隔离层由多孔层或涂层组成,该多孔层或涂层由包括多铝红柱石、Al2O3、TiO3、ZrO2、MgO、CaO、CaCO2的组中的隔离层材料或所述材料中至少两种材料的混合物制成。 | ||
搜索关键词: | 金属陶瓷 衬底 陶瓷 制造 方法 以及 用于 中的 支架 | ||
【主权项】:
1.一种制造双面金属化金属陶瓷衬底、例如铜陶瓷衬底的方法,通过加热到直接键合温度而利用直接键合工艺,其特征在于:在至少一个基板(1,1a,1b,1c,1d)的隔离层(2)上形成至少一个由第一和第二金属层(3,5)和位于所述金属层之间的陶瓷层(4)构成的DCB封包(6),并且至少一个所述金属层支撑于所述隔离层(2)上,所述隔离层由多孔层形成,其中所述多孔层由多铝红柱石、Al2O3、TiO3、ZrO2、MgO、CaO、CaCO2构成的组中的一种隔离材料制成,或者由这些材料中至少两种材料的组合制成,基板(1,1a,1b,1c,1d)由耐热材料、例如陶瓷材料构成,和在所述至少一个基板(1,1a,1b,1c,1d)上形成的所述至少一个DCB封包(6)通过加热到直接键合温度而被键合到至少一个双面金属化金属陶瓷衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于库拉米克电子学有限公司,未经库拉米克电子学有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200580036953.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:与基于卫星定位有关的方法和布置
- 下一篇:爆燃传感器